產(chǎn)品分類(lèi)
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簡(jiǎn)要描述:日本Nikkato/日淘工程業(yè)務(wù)半導體制造的熱電偶日本Nikkato(日淘工程)是工業(yè)加熱設備和高溫材料領(lǐng)域的出這些是半導體制造中使用的各種熱電偶。可以設計各種形狀和尖峰形狀的熱電偶,還提供各種石英保護管、氧化鋁保護管、陶瓷涂層線(xiàn)材、線(xiàn)徑等。名廠(chǎng)商,其熱電偶產(chǎn)品在半導體制造、陶瓷燒結、冶金等領(lǐng)域應用廣泛。
深圳納加霍里科技專(zhuān)業(yè)代理銷(xiāo)售日本Nikkato/日淘工程業(yè)務(wù)半導體制造的熱電偶 產(chǎn)品特點(diǎn)如下:
日本Nikkato/日淘工程業(yè)務(wù)半導體制造的熱電偶 日本Nikkato(日淘工程)是工業(yè)加熱設備和高溫材料領(lǐng)域的出這些是半導體制造中使用的各種熱電偶。
可以設計各種形狀和尖峰形狀的熱電偶,還提供各種石英保護管、氧化鋁保護管、陶瓷涂層線(xiàn)材、線(xiàn)徑等。名廠(chǎng)商,其熱電偶產(chǎn)品在半導體制造、陶瓷燒結、冶金等領(lǐng)域應用廣泛。
熱電偶類(lèi)型
Nikkato的熱電偶主要分為以下幾類(lèi),符合國際標準(IEC):
1.K型熱電偶(鎳鉻-鎳硅)
溫度范圍:-200°C ~ +1300°C
特點(diǎn):性?xún)r(jià)比高,抗氧化性強,適用于半導體設備的低溫至中高溫段(如CVD、擴散爐)。
半導體應用:晶圓熱處理、管式爐溫度監控。
2.R/S型熱電偶(鉑銠-鉑)
溫度范圍:0°C ~ 1600°C(R型)、0°C ~ 1700°C(S型)
特點(diǎn):高精度、穩定性好,但成本高,適用于超高溫環(huán)境。
半導體應用:?jiǎn)尉Ч枭L(cháng)爐(CZ法)、外延沉積反應器。
3.B型熱電偶(鉑銠30-鉑銠6)
溫度范圍:+600°C ~ +1800°C
特點(diǎn):耐高溫性能好,抗污染能力強,適合長(cháng)期高溫操作。
半導體應用:高溫氧化爐、退火工藝。
4.C型熱電偶(鎢錸5%-鎢錸26%)
溫度范圍:0°C ~ 2300°C(惰性/還原氣氛)
特點(diǎn):超高溫測量,但易氧化,需保護套管。
半導體應用:MOCVD反應器、碳化硅(SiC)晶體生長(cháng)。
Nikkato熱電偶的特殊設計
1.保護套管材質(zhì)
氧化鋁(Al?O?):耐高溫至1800°C,適用于氧化性氣氛。
莫來(lái)石(Mullite):抗熱震性好,用于快速升降溫工藝。
碳化硅(SiC):導熱性?xún)?yōu)異,適合半導體高溫工藝。
2.結構形式
裸絲型:響應快,用于高精度控溫(如快速退火)。
鎧裝型:金屬護套(如Inconel),抗機械沖擊,適合嚴苛環(huán)境。
陶瓷封裝型:絕緣性好,防止電信號干擾(如PECVD設備)。
半導體制造中的關(guān)鍵應用
3.晶圓加工
擴散爐:K型或R型熱電偶監控摻雜工藝溫度(800°C~1200°C)。
蝕刻設備:鎧裝K型熱電偶耐腐蝕氣體(如Cl?、CF?)。
4.薄膜沉積
CVD/PVD:B型或C型熱電偶確保反應室高溫均勻性。
ALD:高精度K型熱電偶控制低溫沉積(200°C~400°C)。
5.封裝與測試
回流焊:短時(shí)高溫測量(S型熱電偶)。
優(yōu)勢總結
Nikkato熱電偶以高可靠性、長(cháng)壽命和定制化服務(wù)(如特殊長(cháng)度/接頭設計)著(zhù)稱(chēng),適合半導體行業(yè)對工藝穩定性的嚴苛要求。
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